Samsung je sporočil, da zdaj množično izdeluje prvi na svetu vgrajeni modul Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) na 1TB za telefone, čas predstavitve pa kaže, da bi se lahko čipov za shranjevanje končal na Galaxy S10. Samsung je ugotovil, da je sam modul enake velikosti kot čip 512 GB, ki ga najdemo na Galaxy Note 9.
Samsung to lahko doseže z uporabo tehnologije V-NAND, kjer so celice NAND navpično zložene, da dosežejo največjo gostoto in učinkovitost. Samsung nagovarja zaporedne hitrosti branja do 1000Mbps in hitrosti zapisovanja 260Mbps, kar naj bi omogočilo, da bo modul za shranjevanje ponudil neprekinjeno snemanje videa tudi pri 960fps.
Po podatkih Samsung Cheol Choi za trženje spomina bo modul 1TB eUFS odigral ključno vlogo pri "prinašanju bolj uporabniške izkušnje prenosnikom v naslednje generacije mobilnih naprav." Samsungov mobilni direktor DJ Koh je v intervjuju v začetku tega tedna dejal, da bo Galaxy S10 izpolnil pričakovanja kupcev, ponujanje notranjega pomnilnika 1TB pa je eden od načinov za to.
